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IXBX25N250
- IGBT晶体管. 目录. 参数. 数据表 (PDF) 制造商零件编号: IXBX25N250
沟道类型: N-Channel
最大耗散功率 (Pc):
集电极--发射极击穿电压 (Uce): 2500V
集电极--发射极饱和压降 (Ucesat): 3.3V
集电极 －栅极电压 (Ucg): 栅极-发射极最大电压 (Ueg):
在25 C的连续集电极电流 (Ic): 55A
最大工作温度 (Tj), °C:
导通上升时间: 640
输出电容 (Cc), pF:
封装形式: PLUS247
IXBX25N250
: 代换, 替换 IXBX25N250
- 数据表 (PDF)抱歉：没有找到你需要PDF相关的内容！ 其他IGBT晶体管 : IXBT20N300
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, IXBT2N250
, IXBT32N300
, IXBT42N170
, IXBT42N170A
, IXBT6N170
, FII50-12E
, IXBX55N300
, IXBX64N250
, IXBX75N170
, IXBX75N170A
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, IXDH35N60BD1
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, IXDP20N60BD1
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