IXEN60N120D1 - IGBT晶体管. 目录. 参数. 数据表 (PDF)

制造商零件编号: IXEN60N120D1

沟道类型: N-Channel

最大耗散功率 (Pc):

集电极--发射极击穿电压 (Uce): 1200V

集电极--发射极饱和压降 (Ucesat): 2.7V

集电极 －栅极电压 (Ucg):

栅极-发射极最大电压 (Ueg):

在25 C的连续集电极电流 (Ic): 100A

最大工作温度 (Tj), °C:

导通上升时间: 30

输出电容 (Cc), pF:

封装形式: SOT227B

IXEN60N120D1 : 代换, 替换

IXEN60N120D1 - 数据表 (PDF)

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