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IXGH72N60C3
- IGBT晶体管. 目录. 参数. 数据表 (PDF) 制造商零件编号: IXGH72N60C3
沟道类型: N-Channel
最大耗散功率 (Pc):
集电极--发射极击穿电压 (Uce): 600V
集电极--发射极饱和压降 (Ucesat): 2.5V
集电极 －栅极电压 (Ucg): 栅极-发射极最大电压 (Ueg):
在25 C的连续集电极电流 (Ic): 75A
最大工作温度 (Tj), °C:
导通上升时间: 55
输出电容 (Cc), pF:
封装形式: TO247
IXGH72N60C3
: 代换, 替换 IXGH72N60C3
- 数据表 (PDF)
1.1. ixgh72n60c3.pdf  Size:166K _ixys  |
 | 5V
VGE = 15V
90
13V
13V
300
80 11V
11V
9V
250
70
60
200
9V
50
7V 150
40
30
100
20
7V
50
10
5V
5V
0
0
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8
0 2 4 6 8 10 12 14
VCE - Volts VCE - Volts
Fig. 4. Dependence of VCE(sat) on
Fig. 3. Output Characteristics @ TJ = 125?C
JunctionTemperature
100 1.3
VGE = 15V
VGE = 15V
90
13V
1.2
11V
80
9V 1.1
I C = 100A
70
1.0
60
50
0.9
I C = 50A
7V
40
0.8
30
0.7
20
I C = 25A
0.6
5V
10
0
0.5
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2 |
其他IGBT晶体管 : IXGH60N60C3
, IXGH60N60C3D1
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.
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