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GT60M303 参数- 绝缘栅双极晶体管- IGBT- 目录- 参数- 数据表- PDF

制造商零件编号: GT60M303

沟道类型: N-Channel

最大耗散功率 (Pc):

集电极--发射极击穿电压 (Vce): 900V

集电极--发射极饱和压降 (Vcesat): 2.7V

栅极-发射极最大电压 (Veg): 15V

在25 C的连续集电极电流 (Ic): 60A

最大工作温度 (Tj), °C: 150

导通上升时间: 400

输出电容 (Cc), pF:

封装形式: TO264

GT60M303 : 代换, 替换

GT60M303 PDF doc:

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GT60M303
GT60M303

GT60M303 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT60M303 HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS Unit: mm Fourth generation IGBT FRD included between emitter and collector Enhancement mode type High speed IGBT : tf = 0.25?s (TYP.) FRD : trr = 0.7?s (TYP.) Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.1V (TYP.) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHAR

其他IGBT晶体管 : GT5G103 , GT5G103LB , GT60J101 , GT60M101 , GT60M102 , GT60M103 , GT60M301 , GT60M302 , GT15Q101 , GT75G101 , GT80J101 , GT8G101 , GT8G102 , GT8G103 , GT8G103LB , GT8G121 , GT8G121LB .

 


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