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RFL1P10 参数-MOSFET-场效应晶体管datasheet-PDF

制造商产品编号: RFL1P10

系列: MOSFET

沟道: P

耗散功率 (Pd): 8.33

漏源反向电压 (Uds): 100

栅源反向电压 (Ugs): 20

漏极电流(连续) (Id): 1

最高结温 (Tj), °C: 150

上升时间 (tr): 15

输出电容 (Cd), pF: 80

通态电阻 (Rds), Ohm: 3.65

封装形式: TO205AF

RFL1P10 : 代换, 替换

RFL1P10 PDF doc:

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RFL1P10
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RFL1P10
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