双极性晶体管datasheet-PDF中文资料大全

 

TH562 参数-双极性晶体管datasheet-PDF中文资料大全

制造商产品编号: TH562

印章 : SD1731

材料 : Si

晶体管极性 : NPN

功耗 (Pd) : 233

集电极--基极击穿电压 (Vcb): 110

集电极--发射极击穿电压 (Vce): 55

发射极--基极击穿电压 (Veb): 4

最大集电极电流 (Ic): 20

工作温度最高值 (Tj), °C: 150

最大工作频率 (ft): 30

输出电容 (Cc), pF: 330

直流电流增益 (hfe): 15

晶体管封装类型: SOT121

TH562 相互参照- 代换- 替换

TH562 PDF:

1.1. th562.pdf Size:264K _update

TH562
TH562

HG RF POWER TRANSISTOR TH562 Semiconductors HG ROHS Compliance,Silicon NPN POWER TRANSISTOR SD1731 (TH562) RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS .OPTIMIZED FOR SSB .30 MHz .50 VOLTS .EFFICIENCY 40% .COMMON EMITTER .GOLD METALLIZATION .P = 220 W PEP WITH 13 dB GAIN OUT .500 4LFL (M174) epoxy sealed ORDER CODE BRANDING SD1731 TH562 PIN CONNECTION DESCRIPTION The SD1

其他晶体管: TG50 , TG51 , TG52 , TG53 , TG55 , TH430 , TH513 , TH560 , BC148 , THA15 , THA42TTD03 , THA92TTD03 , TIP110A , TIP112L-TN3 , TIP35CW , TIP36CW , TSD1664CY .

 


TH562
  TH562
  TH562
  TH562
 
TH562
  TH562
  TH562
  TH562
 

social 

目录

推荐产品

双极性晶体管 NSS40302PDR2G | NSS40301MZ4T3G | NSS40301MZ4T1G | NSS40301MDR2G | NSS40300MZ4T3G | NSS40300MZ4T1G | NSS20201MR6 | NSS20201LT1G | NSS20200LT1G | NSS20101J | NSVBC858CLT1G | NSVBC858BLT1G | NSVBC857CWT1G | NSVBC857BTT1G | NSVBC857BLT3G | NSVBC850CLT1G | NSVBC850BLT1G | NSVBC848CLT1G | NSVBC848CDW1T1G | NSVBC848BWT1G |

长度至少2个字符,最大长度为20!