双极性晶体管datasheet-PDF中文资料大全

 

THA42TTD03 参数-双极性晶体管datasheet-PDF中文资料大全

制造商产品编号: THA42TTD03

印章 : 1D

材料 : Si

晶体管极性 : NPN

功耗 (Pd) : 0.15

集电极--基极击穿电压 (Vcb): 310

集电极--发射极击穿电压 (Vce): 305

发射极--基极击穿电压 (Veb): 5

最大集电极电流 (Ic): 0.2

工作温度最高值 (Tj), °C: 150

最大工作频率 (ft): 50

输出电容 (Cc), pF:

直流电流增益 (hfe): 100

晶体管封装类型: WBFBP-03A

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THA42TTD03 PDF:

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THA42TTD03
THA42TTD03

 JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03A Plastic-Encapsulate Transistors THA42TTD03 TRANSISTOR C DESCRIPTION NPN Epitaxial Silicon Transistor WBFBP-03A (1.6×1.6×0.5) TOP unit: mm FEATURES Power dissipation PCM : 0.15 W (Ta=25℃) B E APPLICATION C 1. BASE High Voltage Amplifier 2. EMITTER For portable equipment:(i.e. Mobile phone,MP

其他晶体管: TG52 , TG53 , TG55 , TH430 , TH513 , TH560 , TH562 , THA15 , 9013 , THA92TTD03 , TIP110A , TIP112L-TN3 , TIP35CW , TIP36CW , TSD1664CY , TSD1760CP , TSD1858CH .

 


THA42TTD03
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