双极性晶体管datasheet-PDF中文资料大全

 

TSD1858CH 参数-双极性晶体管datasheet-PDF中文资料大全

制造商产品编号: TSD1858CH

印章 : D1858

材料 : Si

晶体管极性 : NPN

功耗 (Pd) : 15

集电极--基极击穿电压 (Ucb): 180

集电极--发射极击穿电压 (Uce): 160

发射极--基极击穿电压 (Ueb): 5

最大集电极电流 (Ic): 1.5

工作温度最高值 (Tj), °C: 150

最大工作频率 (ft): 200

输出电容 (Cc), pF: 13

直流电流增益 (hfe): 180

晶体管封装类型: TO251

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TSD1858CH PDF:

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TSD1858CH
TSD1858CH

 TSD1858 Low Vcesat NPN Transistor TO-251 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY (IPAK) 1. Base 2. Collector BVCBO 180V 3. Emitter BVCEO 160V IC 1.5A VCE(SAT) 0.3V @ IC = 1A, IB = 100mA Features Ordering Information ● Low VCE(SAT) 0.15 @ IC = 1A, IB = 100mA (Typ.) Part No. Package Packing ● High BVCEO TSD1858CH C5G TO-251 75pcs / Tube Note: “G” denote for Hal

其他晶体管: THA42TTD03 , THA92TTD03 , TIP110A , TIP112L-TN3 , TIP35CW , TIP36CW , TSD1664CY , TSD1760CP , 2N222 , TSD2098ACY , TSD2118CP , TSD2150A , TSD2444CX , TSD882CK , TSD882S , TSL13003 , TV9018NND03 .

 


TSD1858CH
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