双极性晶体管datasheet-PDF中文资料大全

 

TV9018NND03 参数-双极性晶体管datasheet-PDF中文资料大全

制造商产品编号: TV9018NND03

印章 : J8

材料 : Si

晶体管极性 : NPN

功耗 (Pd) : 0.15

集电极--基极击穿电压 (Vcb): 30

集电极--发射极击穿电压 (Vce): 15

发射极--基极击穿电压 (Veb): 5

最大集电极电流 (Ic): 0.05

工作温度最高值 (Tj), °C: 150

最大工作频率 (ft): 600

输出电容 (Cc), pF: 2

直流电流增益 (hfe): 70

晶体管封装类型: WBFBP-03B

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TV9018NND03 PDF:

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TV9018NND03
TV9018NND03

 JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD WBFBP-03B Plastic-Encapsulate Transistors C WBFBP-03B TV9018NND03 TRANSISTOR (1.2×1.2×0.5) TOP unit: mm DESCRIPTION B E NPN Epitaxial Silicon Transistor C 1. BASE FEATURES 2. EMITTER High Current Gain Bandwidth Product fT=1.1 GHz (Typ) BACK 3. COLLECTOR APPLICATION AM/FM Amplifier, Local Oscillat

其他晶体管: TSD1858CH , TSD2098ACY , TSD2118CP , TSD2150A , TSD2444CX , TSD882CK , TSD882S , TSL13003 , 431 , TK2222ATTD03 , TK2907ATTD03 , TK3904LLD03 , TK3904NND03 , TK3906LLD03 , TK3906NND03 , TMBT3904 , TMBT3906 .

 


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