SM2G50US60
. IGBT. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt. Typenbezeichnung: SM2G50US60
Kanaltyp: N-Channel
Gesamt-Verlustleistung (Pc):
Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Uce): 600V
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung (Ucesat): 2.1V
Gate-Emitter-Spitzenspannung (Ueg):
Kollektor-Dauergleichstrom (Ic): 50A
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150
Anstiegszeit: 80
Kollektor-Kapazität (Cc), pF:
Transistorgehäuse: 7PM-AA
Ersatz (vergleichstyp) für SM2G50US60
Transistor SM2G50US60
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, SM2G150US120
, SM2G150US60
, SM2G200US120
, SM2G200US60
, SM2G300US60
, SM2G400US60
, SM2G50US120
, IRG4PC40UD
, SM2G75US120
, SM2G75US60
, SMBH1G100US120
, SMBH1G100US60
, SMBH1G150US120
, SMBH1G150US60
, SMBH1G200US120
, SMBH1G200US60
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