IXEN60N120D1
. IGBT. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt. Typenbezeichnung: IXEN60N120D1
Kanaltyp: N-Channel
Gesamt-Verlustleistung (Pc):
Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Uce): 1200V
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung (Ucesat): 2.7V
Gate-Emitter-Spitzenspannung (Ueg):
Kollektor-Dauergleichstrom (Ic): 100A
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur (Tj), °C:
Anstiegszeit: 30
Kollektor-Kapazität (Cc), pF:
Transistorgehäuse: SOT227B
Ersatz (vergleichstyp) für IXEN60N120D1
Transistor IXEN60N120D1
- PDF-Dokument zum Download bereitstellen... PDF nicht verfügbar! Anderen IGBT... IXDR30N120D1
, IXDR35N60BD1
, IXEH25N120
, IXEH25N120D1
, IXEH40N120
, IXEH40N120D1
, IXEL40N400
, IXEN60N120
, IXGR32N60CD1
, IXER20N120
, IXER20N120D1
, IXER35N120D1
, IXER60N120
, IXGA12N120A2
, IXGA12N120A3
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, IXGA14N120B
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