Alle IGBT. Datenblatt

 

CT60AM-18F . IGBT. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: CT60AM-18F

Kanaltyp: N-Channel

Gesamt-Verlustleistung (Pc): 180W

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Vce): 900V

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung (Vcesat): 2.1V

Gate-Emitter-Spitzenspannung (Veg): 30V

Kollektor-Dauergleichstrom (Ic): 60A

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150

Anstiegszeit: 50

Kollektor-Kapazität (Cc), pF: 4400pF

Transistorgehäuse: TO3PL

Ersatz (vergleichstyp) für CT60AM-18F Transistor

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CT60AM-18F
CT60AM-18F

MITSUBISHI Nch IGBT CT60AM-18F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR CT60AM-18F OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 5 20MAX. 2 ?3.2 2 1 0.5 3 5.45 5.45 4.0 VCES ............................................................................... 900V IC .........................................................................................60A GATE Simple drive COLLECTOR EMITTER In

Anderen IGBT... CT25ASJ-8 , CT30SM-12 , CT30TM-8 , CT30VM-8 , CT30VS-8 , CT35SM-8 , CT40TMH-8 , CT60AM-18B , IKW50N60T , CT60AM-20 , CT75AM-12 , CY20AAJ-8 , CY25AAJ-8 , G10N40 , G10N40C1 , G10N40E1 , G10N50 .

 


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