IGBT

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MIO2400-17E10
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MIO2400-17E10
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Liste
10N40C1D ..APT50GF120LR
APT50GF60AR ..FGPF4533
FGPF4536 ..GT5G101
GT5G102 ..HGTD7N60B3S
HGTD7N60C3 ..HGTP7N60A4D
HGTP7N60B3 ..IKW25T120
IKW30N100T ..IRG4PH30KD
IRG4PH40K ..IRGP4066D-E
IRGP4068D ..IXDN50N120AU1
IXDN55N120 ..IXGH15N120BD1
IXGH15N120C ..IXGH40N120C3
IXGH40N120C3D1 ..IXGN200N60B3
IXGN320N60A3 ..IXGR60N60B2
IXGR60N60B2D1 ..IXGX32N170AH1
IXGX32N170H1 ..IXSP24N60B
IXSQ10N60B2D1 ..MGS05N60D
MGS13002D ..MIXA80W1200TED
MIXA80W1200TED ..MWI80-12T6K
NGB15N41CLT4 ..RJP60D0DPP-M0
RJP60F0DPE ..SGU15N40L
SGU1N60XFD ..SKM40GD123D
SKM40GD124D ..STGB10NC60K
STGB10NC60KD ..STGW30N120KD
STGW30N90D ..VWI35-06P1
 
Alle IGBT. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.
 

MIO2400-17E10 . IGBT. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: MIO2400-17E10

Kanaltyp: N-Channel

Gesamt-Verlustleistung (Pc):

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Uce): 1700V

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung (Ucesat): 2.3V

Gate-Emitter-Spitzenspannung (Ueg):

Kollektor-Dauergleichstrom (Ic): 3300A

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur (Tj), °C:

Anstiegszeit: 0

Kollektor-Kapazität (Cc), pF:

Transistorgehäuse: E10

Ersatz (vergleichstyp) für MIO2400-17E10 Transistor

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