Alle IGBT. GT60M303 Datenblatt

 

GT60M303 . IGBT. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: GT60M303

Kanaltyp: N-Channel

Gesamt-Verlustleistung (Pc):

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Vce): 900V

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung (Vcesat): 2.7V

Gate-Emitter-Spitzenspannung (Veg): 15V

Kollektor-Dauergleichstrom (Ic): 60A

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150

Anstiegszeit: 400

Kollektor-Kapazität (Cc), pF:

Transistorgehäuse: TO264

Ersatz (vergleichstyp) für GT60M303 Transistor

GT60M303 PDF doc:

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GT60M303
GT60M303

GT60M303 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT60M303 HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS Unit: mm Fourth generation IGBT FRD included between emitter and collector Enhancement mode type High speed IGBT : tf = 0.25?s (TYP.) FRD : trr = 0.7?s (TYP.) Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.1V (TYP.) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHAR

Anderen IGBT... GT5G103 , GT5G103LB , GT60J101 , GT60M101 , GT60M102 , GT60M103 , GT60M301 , GT60M302 , GT15Q101 , GT75G101 , GT80J101 , GT8G101 , GT8G102 , GT8G103 , GT8G103LB , GT8G121 , GT8G121LB .

 


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