Alle IGBT. Datenblatt

 

BRG25N120D . IGBT. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: BRG25N120D

Kanaltyp: N-Channel

Gesamt-Verlustleistung (Pc): 312

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Vce): 1200

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung (Vcesat): 2.5

Gate-Emitter-Spitzenspannung (Veg): 20

Kollektor-Dauergleichstrom (Ic): 50

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150

Anstiegszeit: 36

Kollektor-Kapazität (Cc), pF: 87

Transistorgehäuse: TO3P

Ersatz (vergleichstyp) für BRG25N120D Transistor

BRG25N120D PDF doc:

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BRG25N120D
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BRG25N120D 绝缘栅双极晶体管/INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR 用途/Applications ◆ 逆变器/General purpose inverter ◆ 变频器/Frequency converters ◆ 电磁炉/Induction Heating(IH) ◆ 不间断电源/Uninterrupted Power Supply(UPS) 特点/Features ◆ 低栅极电荷/Low gate charge ◆ 正温度系数/Positive temperature coefficient ◆ 低饱和压降/Lo

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BRG25N120D
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BRG25N120D 绝缘栅双极晶体管/INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR 用途/Applications ◆ 逆变器/General purpose inverter ◆ 变频器/Frequency converters ◆ 电磁炉/Induction Heating(IH) ◆ 不间断电源/Uninterrupted Power Supply(UPS) 特点/Features ◆ 低栅极电荷/Low gate charge ◆ 正温度系数/Positive temperature coefficient ◆ 低饱和压降/Lo

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