Alle IGBT. Datenblatt

 

SSIG20N135H . IGBT. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: SSIG20N135H

Kanaltyp: N-Channel

Gesamt-Verlustleistung (Pc): 310

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Uce): 1350

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung (Ucesat): 1.9

Gate-Emitter-Spitzenspannung (Ueg): 30

Kollektor-Dauergleichstrom (Ic): 40

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 175

Anstiegszeit:

Kollektor-Kapazität (Cc), pF: 70

Transistorgehäuse: TO247

Ersatz (vergleichstyp) für SSIG20N135H Transistor

SSIG20N135H PDF doc:

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SSIG20N135H
SSIG20N135H

 SSIG20N135H Main Product Characteristics: VCES 1350V VCE(sat) 1.9V (typ.) ID 20A @ TC = 100° C Schema t ic d iagr am TO-247 Features and Benefits:  Advanced Trench-FS Process Technology  Low Collector-Emitter Saturation Voltage, Typical Data is 1.9V@20A  Fast Switching  High Input Impedance  Pb- Free Product  Power Switch Circuit of Induction Co

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