Alle IGBT. Datenblatt

 

BT25T120ANF . IGBT. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: BT25T120ANF

Kanaltyp: N-Channel

Gesamt-Verlustleistung (Pc): 312

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Uce): 1200

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung (Ucesat): 2.5

Gate-Emitter-Spitzenspannung (Ueg): 20

Kollektor-Dauergleichstrom (Ic): 50

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150

Anstiegszeit: 21

Kollektor-Kapazität (Cc), pF: 82

Transistorgehäuse: TO3PN

Ersatz (vergleichstyp) für BT25T120ANF Transistor

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BT25T120ANF
BT25T120ANF

Silicon FS Planar IGBT R ○ BT25T120ANF General Description: VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced FS(field IC 25 A stop) technology, the 1200V Trench FS-IGBT offers superior conduction Ptot (TC=25℃) 312 W and switching performances, high avalanche ruggedness. VCE(SAT) 1.9 V Features: Trench FS Technology, Positive temperature coef

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