Alle IGBT. Datenblatt

 

BT15T120ANF . IGBT. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: BT15T120ANF

Kanaltyp: N-Channel

Gesamt-Verlustleistung (Pc): 186

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Uce): 1200

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung (Ucesat): 2.5

Gate-Emitter-Spitzenspannung (Ueg): 20

Kollektor-Dauergleichstrom (Ic): 30

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150

Anstiegszeit: 16

Kollektor-Kapazität (Cc), pF: 52

Transistorgehäuse: TO3PN

Ersatz (vergleichstyp) für BT15T120ANF Transistor

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BT15T120ANF
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Silicon FS Planar IGBT R ○ BT15T120ANF General Description: VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced FS(field IC 15 A stop) technology, the 1200V Trench FS-IGBT offers superior conduction Ptot (TC=25℃) 186 W and switching performances, high avalanche ruggedness. VCE(SAT) 1.95 V Features: Trench FS Technology, Positive temperature coe

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Silicon FS Planar IGBT R ○ BT15T120ANF General Description: VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced FS(field IC 15 A stop) technology, the 1200V Trench FS-IGBT offers superior conduction Ptot (TC=25℃) 186 W and switching performances, high avalanche ruggedness. VCE(SAT) 1.95 V Features: Trench FS Technology, Positive temperature coe

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