Alle IGBT. Datenblatt

 

BT30N60ANF . IGBT. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: BT30N60ANF

Kanaltyp: N-Channel

Gesamt-Verlustleistung (Pc): 312

Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Vce): 600

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung (Vcesat): 2.5

Gate-Emitter-Spitzenspannung (Veg): 20

Kollektor-Dauergleichstrom (Ic): 30

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150

Anstiegszeit: 36

Kollektor-Kapazität (Cc), pF: 140

Transistorgehäuse: TO3PN

Ersatz (vergleichstyp) für BT30N60ANF Transistor

BT30N60ANF PDF doc:

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BT30N60ANF
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Silicon FS Planar IGBT R ○ BT30N60ANF General Description: VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Planar design and advanced FS IC 30 A technology, the 600V FSIGBT offers superior conduction and switching Ptot (TC=25℃) 312 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 2.0 V Features: FS Planar Technology, Positive temperature

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BT30N60ANF
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Silicon FS Planar IGBT R ○ BT30N60ANF General Description: VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Planar design and advanced FS IC 30 A technology, the 600V FSIGBT offers superior conduction and switching Ptot (TC=25℃) 312 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 2.0 V Features: FS Planar Technology, Positive temperature

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