IXDH30N120AU1
. IGBT. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt. Typenbezeichnung: IXDH30N120AU1
Kanaltyp: N-Channel
Gesamt-Verlustleistung (Pc):
Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Uce): 1200V
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung (Ucesat):
Gate-Emitter-Spitzenspannung (Ueg):
Kollektor-Dauergleichstrom (Ic): 50A
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150
Anstiegszeit: 0
Kollektor-Kapazität (Cc), pF:
Transistorgehäuse: TO247
Ersatz (vergleichstyp) für IXDH30N120AU1
Transistor IXDH30N120AU1
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1.1. ixdh30n120.pdf  Size:84K _ixys  |
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(SCSOA) RG = 47 ?, non repetitive
• High power density
PC TC = 25°C; IGBT 300 W
• IXDT:
Diode 135 W
surface mountable high power package
TJ -55 ... +150 °C
Typical Applications
Tstg -40 ... +150 °C
• AC motor speed control
• DC servo and robot drives
Md Mounting torque 1.1/10 Nm/lb.in.
• DC choppers
Weight 6g
• Uninteruptible power supplies (UPS)
• Switch-mode and resonant-mode
power supplies
Symbol Conditions Characteristic Values
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)
min. |
Anderen IGBT... IRGBC30S
, IRGBC40S
, IRGS14B40L
, IRGS14C40L
, IXDA20N120AS
, IXDH20N120
, IXDH20N120D1
, IXDH30N120
, IHY20N120R3
, IXDH30N120D1
, IXDN50N120AU1
, IXDN55N120
, IXDN55N120D1
, IXDN75N120
, IXDT30N120
, IXDT30N120AU1
, IXDT30N120D1
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