IXSN35N100U1
. IGBT. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt. Typenbezeichnung: IXSN35N100U1
Kanaltyp: N-Channel
Gesamt-Verlustleistung (Pc):
Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Uce): 1000V
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung (Ucesat):
Gate-Emitter-Spitzenspannung (Ueg):
Kollektor-Dauergleichstrom (Ic): 34A
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150
Anstiegszeit: 0
Kollektor-Kapazität (Cc), pF:
Transistorgehäuse: ISOTOP
Ersatz (vergleichstyp) für IXSN35N100U1
Transistor IXSN35N100U1
- PDF-Dokument zum Download bereitstellen... PDF nicht verfügbar! Anderen IGBT... IXSK35N120AU1
, IXSK40N60BD1
, IXSK40N60CD1
, IXSK50N60AU1
, IXSK50N60BD1
, IXSK50N60BU1
, IXSM30N60
, IXSM30N60A
, IRG4PH50KD
, IXSN35N120AU1
, IXSN50N60BD2
, IXSN50N60BD3
, IXSN52N60AU1
, IXSN55N120A
, IXSN55N120AU1
, IXSN62N60U1
, IXSN80N60A
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