Alle MOSFET. Datenblatt

 

75339P MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: 75339P

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: N

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 124 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 55 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 20 V

Maximaler Drainstrom (Id): 75 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Drain-Kapazität (Cd): 2000 pF

Ausgangswiderstand (Rds): 0.012 Ohm

Transistorgehäuse: TO220

Ersatz (vergleichstyp) für 75339P Transistor

75339P PDF doc:

1.1. huf75339g3_huf75339p3_huf75339s3s.pdf Size:308K _fairchild_semi

75339P
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HUF75339G3, HUF75339P3, HUF75339S3S Data Sheet December 2001 75A, 55V, 0.012 Ohm, N-Channel UltraFET Features Power MOSFETs 75A, 55V These N-Channel power MOSFETs Simulation Models are manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Models advanced process technology - SPICE and SABER Thermal Impedance Models achieves th

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