APT20M22B2VFR
MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt. Typenbezeichnung: APT20M22B2VFR
Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET
Kanaltyp: N
Gesamt-Verlustleistung (Pd): 520
Maximale Drain-Source-Spannung (Uds): 200V
Maximale Gate-Source-Spannung (Ugs):
Maximaler Drainstrom (Id): 100
Höchste Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150
Anstiegszeit (tr):
Drain-Kapazität (Cd), pF: 8500
Ausgangswiderstand (Rds), Ohm: 0.022
Transistorgehäuse:
Ersatz (vergleichstyp) für APT20M22B2VFR
Transistor APT20M22B2VFR
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4.1. apt20m10jll_1.pdf  Size:61K _apt  |
 | Factor 5.88 W/°C
TJ,TSTG Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to 150
°C
TL Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.
300
IAR Avalanche Current 1 (Repetitive and Non-Repetitive)
185 Amps
EAR Repetitive Avalanche Energy 1
50
mJ
4
EAS Single Pulse Avalanche Energy
3600
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol Characteristic / Test Conditions MIN TYP MAX UNIT
BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage (VGS = 0V, ID = 250µA)
200 Volts
ID(on) On State Drain Current 2 |
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