Alle MOSFET. Datenblatt

 

IRFB3306 MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: IRFB3306

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: N

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 230

Maximale Drain-Source-Spannung (Uds): 60

Maximale Gate-Source-Spannung (Ugs): 20

Maximaler Drainstrom (Id): 160

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj), °C:

Anstiegszeit (tr):

Drain-Kapazität (Cd), pF:

Ausgangswiderstand (Rds), Ohm: 0.0042

Transistorgehäuse: TO220AB

Ersatz (vergleichstyp) für IRFB3306 Transistor

 

IRFB3306 PDF doc:

4.1. irfb33n15d_irfs33n15d_irfsl33n15d.pdf Size:142K _international_rectifier

IRFB3306
IRFB3306

PD- 93903 IRFB33N15D IRFS33N15D SMPS MOSFET IRFSL33N15D HEXFET® Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID High frequency DC-DC converters 150V 0.056Ω 33A Benefits Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) Fully Characterized Avalanche Voltage and Current T

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