Alle MOSFET. Datenblatt

 

IRF150 MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: IRF150

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: N

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 150

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 100

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs):

Maximaler Drainstrom (Id): 38

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150

Anstiegszeit (tr):

Drain-Kapazität (Cd), pF: 3700

Ausgangswiderstand (Rds), Ohm: 0.055

Transistorgehäuse: TO3

Ersatz (vergleichstyp) für IRF150 Transistor

IRF150 PDF doc:

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IRF150
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IRF150
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PD-94526A AUTOMOTIVE MOSFET IRF1503 Typical Applications HEXFET Power MOSFET ? 14V Automotive Electrical Systems D ? 14V Electronic Power Steering VDSS = 30V Features ? Advanced Process Technology RDS(on) = 3.3m? ? Ultra Low On-Resistance G ? 175C Operating Temperature ? Fast Switching ID = 75A S ? Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Description Specifically designed for

1.3. irf150.pdf Size:150K _international_rectifier

IRF150
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PD - 90337G REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF150 HEXFET?TRANSISTORS JANTX2N6764 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) JANTXV2N6764 [REF:MIL-PRF-19500/543] 100V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF150 100V 0.055? 38A The HEXFET?technology is the key to International Rectifiers advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of thi

Anderen MOSFET... IRF1310N , IRF1310NL , IRF1310NS , IRF140 , IRF1404 , IRF141 , IRF142 , IRF143 , IRFZ24N , IRF151 , IRF153 , IRF230 , IRF240 , IRF250 , IRF2807 , IRF2807L , IRF2807S .

 


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