Alle MOSFET. Datenblatt

 

IRF4905 MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: IRF4905

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: P

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 150

Maximale Drain-Source-Spannung (Uds): 55

Maximale Gate-Source-Spannung (Ugs): 10

Maximaler Drainstrom (Id): 64

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150

Anstiegszeit (tr):

Drain-Kapazität (Cd), pF:

Ausgangswiderstand (Rds), Ohm: 0.02

Transistorgehäuse: TO220AB

Ersatz (vergleichstyp) für IRF4905 Transistor

IRF4905 PDF doc:

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IRF4905
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PD - 9.1280C IRF4905 HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = -55V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating Temperature RDS(on) = 0.02? Fast Switching G P-Channel ID = -74A Fully Avalanche Rated S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resista

1.2. irf4905s.pdf Size:163K _international_rectifier

IRF4905
IRF4905

PD - 9.1478A IRF4905S/L HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Surface Mount (IRF4905S) VDSS = -55V Low-profile through-hole (IRF4905L) 175C Operating Temperature RDS(on) = 0.02? Fast Switching G P-Channel ID = -74A Fully Avalanche Rated S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extre

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