Alle MOSFET. Datenblatt

 

RFL2N06 MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: RFL2N06

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: N

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 8.33

Maximale Drain-Source-Spannung (Uds): 60

Maximale Gate-Source-Spannung (Ugs): 20

Maximaler Drainstrom (Id): 2

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150

Anstiegszeit (tr): 14

Drain-Kapazität (Cd), pF: 85

Ausgangswiderstand (Rds), Ohm: 0.95

Transistorgehäuse: TO205AF

Ersatz (vergleichstyp) für RFL2N06 Transistor

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RFL2N06
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