Alle MOSFET. RFL2N06 Datenblatt

 

RFL2N06 MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: RFL2N06

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: N

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 8.33 W

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 60 V

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 20 V

Maximaler Drainstrom (Id): 2 A

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C

Anstiegszeit (tr): 14 nS

Drain-Kapazität (Cd): 85 pF

Ausgangswiderstand (Rds): 0.95 Ohm

Transistorgehäuse: TO205AF

Ersatz (vergleichstyp) für RFL2N06 Transistor

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RFL2N06
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RFL2N06
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