Alle MOSFET. Datenblatt

 

RFL2N06L MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: RFL2N06L

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: N

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 8.33

Maximale Drain-Source-Spannung (Uds): 60

Maximale Gate-Source-Spannung (Ugs): 10

Maximaler Drainstrom (Id): 2

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150

Anstiegszeit (tr): 65

Drain-Kapazität (Cd), pF: 100

Ausgangswiderstand (Rds), Ohm: 0.75

Transistorgehäuse: TO205AF

Ersatz (vergleichstyp) für RFL2N06L Transistor

RFL2N06L PDF doc:

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RFL2N06L
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RFL2N06L
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Anderen MOSFET... RFL1N10 , RFL1N18 , RFL1N18L , RFL1N20 , RFL1N20L , RFL2N05 , RFL2N05L , RFL2N06 , IRFZ34N , RFL1P08 , RFL1P10 , RFP2N18L , AP9916H , AP9916J , SSM70T03H , SSM70T03J , IRF630MFP .

 


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