Alle MOSFET. Datenblatt

 

RFL1P10 MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: RFL1P10

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: P

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 8.33

Maximale Drain-Source-Spannung (Uds): 100

Maximale Gate-Source-Spannung (Ugs): 20

Maximaler Drainstrom (Id): 1

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150

Anstiegszeit (tr): 15

Drain-Kapazität (Cd), pF: 80

Ausgangswiderstand (Rds), Ohm: 3.65

Transistorgehäuse: TO205AF

Ersatz (vergleichstyp) für RFL1P10 Transistor

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RFL1P10
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