Alle MOSFET. Datenblatt

 

RFL1P10 MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt.

Typenbezeichnung: RFL1P10

Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET

Kanaltyp: P

Gesamt-Verlustleistung (Pd): 8.33

Maximale Drain-Source-Spannung (Vds): 100

Maximale Gate-Source-Spannung (Vgs): 20

Maximaler Drainstrom (Id): 1

Höchste Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150

Anstiegszeit (tr): 15

Drain-Kapazität (Cd), pF: 80

Ausgangswiderstand (Rds), Ohm: 3.65

Transistorgehäuse: TO205AF

Ersatz (vergleichstyp) für RFL1P10 Transistor

RFL1P10 PDF doc:

1.1. rfl1p08_rfl1p10.pdf Size:85K _njs

RFL1P10
RFL1P10



Anderen MOSFET... RFL1N18L , RFL1N20 , RFL1N20L , RFL2N05 , RFL2N05L , RFL2N06 , RFL2N06L , RFL1P08 , BUZ11 , RFP2N18L , AP9916H , AP9916J , SSM70T03H , SSM70T03J , IRF630MFP , IRFD123 , SIHFD123 .

 


RFL1P10
  RFL1P10
  RFL1P10
  RFL1P10
 
RFL1P10
  RFL1P10
  RFL1P10
  RFL1P10
 

social 

Liste

Letztes Update

MOSFET IXFH50N50P3 | IXFQ50N50P3 | IXFT50N50P3 | IPF06N03LA | IPS06N03LA | IPU06N03LA | IPD06N03LA | 2SK1202 | SIHFD123 | IRFD123 | IRF630MFP | SSM70T03J | SSM70T03H | AP9916J | AP9916H |

Zwischen 2 und 10 Zeichen (nur Zahlen und Buchstaben)