IRFS9240
MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt. Typenbezeichnung: IRFS9240
Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET
Kanaltyp: P
Gesamt-Verlustleistung (Pd): 65
Maximale Drain-Source-Spannung (Uds): 200V
Maximale Gate-Source-Spannung (Ugs):
Maximaler Drainstrom (Id): 7.6
Höchste Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150
Anstiegszeit (tr):
Drain-Kapazität (Cd), pF:
Ausgangswiderstand (Rds), Ohm:
Transistorgehäuse: TO3P
Ersatz (vergleichstyp) für IRFS9240
Transistor IRFS9240
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7/21/04
Document Number: 91287 www.vishay.com
1
IRFS9N60APbF
Static @ TJ = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions
V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 600 ––– ––– V VGS = 0V, ID = 250µA
?V(BR)DSS/?TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.66 ––– V/°C Reference to 25°C, ID = 1mA†
RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance ––– ––– 0.75 ? VGS = 10V, ID = 5.5.A „
VGS(th) Gate Threshold Voltage 2.0 ––– 4.0 V VDS = V |
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