PHB6ND50E
MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt. Typenbezeichnung: PHB6ND50E
Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET
Kanaltyp: N
Gesamt-Verlustleistung (Pd): 125
Maximale Drain-Source-Spannung (Uds): 500V
Maximale Gate-Source-Spannung (Ugs):
Maximaler Drainstrom (Id): 3
Höchste Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150
Anstiegszeit (tr):
Drain-Kapazität (Cd), pF:
Ausgangswiderstand (Rds), Ohm: 1.5
Transistorgehäuse: SOT404
Ersatz (vergleichstyp) für PHB6ND50E
Transistor PHB6ND50E
- PDF-Dokument zum Download bereitstellen...PDF nicht verfügbar! Anderen MOSET... PHB50N03LT
, PHB50N06LT
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