PHB7N60E
MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt. Typenbezeichnung: PHB7N60E
Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET
Kanaltyp: N
Gesamt-Verlustleistung (Pd): 147
Maximale Drain-Source-Spannung (Uds): 600V
Maximale Gate-Source-Spannung (Ugs):
Maximaler Drainstrom (Id): 3.5
Höchste Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150
Anstiegszeit (tr):
Drain-Kapazität (Cd), pF:
Ausgangswiderstand (Rds), Ohm: 1.2
Transistorgehäuse: SOT404
Ersatz (vergleichstyp) für PHB7N60E
Transistor PHB7N60E
- PDF-Dokument zum Download bereitstellen...PDF nicht verfügbar! Anderen MOSET... PHB50N06LT
, PHB55N03LT
, PHB60N06LT
, PHB65N06LT
, PHB69N03LT
, PHB6N50E
, PHB6N60E
, PHB6ND50E
, 2N3824
, PHB80N06LT
, PHB87N03LT
, PHB8N50E
, PHB8ND50E
, PHB9N60E
, PHD10N10E
, PHD12N10E
, PHD2N50E
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