SSH25N40A
MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt. Typenbezeichnung: SSH25N40A
Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET
Kanaltyp: N
Gesamt-Verlustleistung (Pd): 278
Maximale Drain-Source-Spannung (Uds): 400V
Maximale Gate-Source-Spannung (Ugs):
Maximaler Drainstrom (Id): 25
Höchste Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150
Anstiegszeit (tr):
Drain-Kapazität (Cd), pF: 3180
Ausgangswiderstand (Rds), Ohm: 0.2
Transistorgehäuse: TO3P
Ersatz (vergleichstyp) für SSH25N40A
Transistor SSH25N40A
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1.1. ssh25n40a.pdf  Size:214K _samsung  |
 | ing
TL 300
Purposes, 1/8 ” from case for 5-seconds
Thermal Resistance
Symbol Characteristic Typ. Max. Units
R JC
Junction-to-Case -- 0.45
?
?
R ?CS
Case-to-Sink 0.24 --
C
/W
R JA
Junction-to-Ambient -- 40
?
N-CHANNEL
SSH25N40A
POWER MOSFET
?
C
Electrical Characteristics (TC=25 unless otherwise specified)
Symbol Characteristic Min. Typ. Max. Units Test Condition
BVDSS
µ
VGS=0V,ID=250 A
Drain-Source Breakdown Voltage
400 -- -- V
?
? BV/ TJ
? ID=250 A See Fig 7
µ |
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.
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