STH7NA60FI
MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt. Typenbezeichnung: STH7NA60FI
Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET
Kanaltyp: N
Gesamt-Verlustleistung (Pd): 60
Maximale Drain-Source-Spannung (Uds): 600V
Maximale Gate-Source-Spannung (Ugs): 30
Maximaler Drainstrom (Id): 4.6
Höchste Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150
Anstiegszeit (tr):
Drain-Kapazität (Cd), pF: 1550
Ausgangswiderstand (Rds), Ohm: 1.2
Transistorgehäuse: ISOWATT218
Ersatz (vergleichstyp) für STH7NA60FI
Transistor STH7NA60FI
- PDF-Dokument zum Download bereitstellen...PDF nicht verfügbar! Anderen MOSET... STH6N100FI
, STH6NA80
, STH6NA80FI
, STH75N06
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