FQP55N10
MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt. Typenbezeichnung: FQP55N10
Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET
Kanaltyp: N
Gesamt-Verlustleistung (Pd):
Maximale Drain-Source-Spannung (Uds): 100V
Maximale Gate-Source-Spannung (Ugs):
Maximaler Drainstrom (Id): 55.0
Höchste Sperrschichttemperatur (Tj), °C:
Anstiegszeit (tr):
Drain-Kapazität (Cd), pF:
Ausgangswiderstand (Rds), Ohm: 0.026
Transistorgehäuse: TO220
Ersatz (vergleichstyp) für FQP55N10
Transistor FQP55N10
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1.1. fqp55n10.pdf  Size:666K _fairchild_semi  |
 | Current - Continuous (TC = 25°C)
55 A
- Continuous (TC = 100°C)
38.9 A
IDM (Note 1) 220 A
Drain Current - Pulsed
VGSS
Gate-Source Voltage ± 25 V
EAS (Note 2) 1100 mJ
Single Pulsed Avalanche Energy
IAR (Note 1) 55 A
Avalanche Current
EAR (Note 1) 15.5 mJ
Repetitive Avalanche Energy
dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3) 6.0 V/ns
PD Power Dissipation (TC = 25°C)
155 W
- Derate above 25°C 1.03 W/°C
TJ, TSTG
Operating and Storage Temperature Range -55 to +175 °C
Maximum lead te |
Anderen MOSET... FQP46N15
, FQP47P06
, FQP4N80
, FQP4N80
, FQP4N90C
, FQP4P40
, FQP50N06L
, FQP55N10
, IRLML2502
, FQP5N60C
, FQP5N60C
, FQP65N06
, FQP6N40C
, FQP6N40C
, FQP6N40CF
, FQP6N40CF
, FQP6N80C
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