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NTD25P03L
MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt. Typenbezeichnung: NTD25P03L
Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET
Kanaltyp: P
Gesamt-Verlustleistung (Pd): 75
Maximale Drain-Source-Spannung (Uds): 30V
Maximale Gate-Source-Spannung (Ugs): 15
Maximaler Drainstrom (Id): 25
Höchste Sperrschichttemperatur (Tj), °C:
Anstiegszeit (tr):
Drain-Kapazität (Cd), pF:
Ausgangswiderstand (Rds), Ohm: 0.051
Transistorgehäuse: DPAK4
Ersatz (vergleichstyp) für NTD25P03L
Transistor NTD25P03L
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1.1. ntd25p03l.pdf  Size:160K _onsemi  |
 | ure Range TJ, Tstg -55 to °C
Gate
Source
+150
Single Pulse Drain-to-Source Avalanche EAS 200 mJ
4
Energy - Starting TJ = 25°C
Drain
(VDD = 25 Vdc, VGS = 5.0 Vdc,
4
Peak IL = 20 Apk, L = 1.0 mH, RG = 25 W)
DPAK-3
Thermal Resistance °C/W
- Junction-to-Case RqJC 1.65 CASE 369D
- Junction-to-Ambient (Note 1) RqJA 67
STYLE 2
1
- Junction-to-Ambient (Note 2) RqJA 120
2
3
Maximum Lead Temperature for Soldering TL 260 °C
Purposes, (1/8 in from case for 10 seconds)
1 2 3
Stresses e |
Anderen MOSET... NTD14N03R
, NTD18N06L
, NTD20N03L27
, NTD20N06
, NTD20N06L
, NTD20P06L
, NTD24N06
, NTD24N06L
, BFR84
, NTD2955
, NTD3055-094
, NTD3055-150
, NTD3055L104
, NTD3055L170
, NTD40N03R
, NTD4302
, NTD4804N
.
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