NUS5531
MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt. Typenbezeichnung: NUS5531
Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET
Kanaltyp: P
Gesamt-Verlustleistung (Pd): 0.418
Maximale Drain-Source-Spannung (Uds): 12V
Maximale Gate-Source-Spannung (Ugs): 8
Maximaler Drainstrom (Id): 5.7
Höchste Sperrschichttemperatur (Tj), °C:
Anstiegszeit (tr):
Drain-Kapazität (Cd), pF:
Ausgangswiderstand (Rds), Ohm: 0.032
Transistorgehäuse: DFN8
Ersatz (vergleichstyp) für NUS5531
Transistor NUS5531
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4.1. nus5530mn.pdf  Size:162K _onsemi  |
 | "12 V
Y = Year
Continuous Drain Current ID A WW = Work Week
(TJ = 150°C) (Note 1)
G = Pb-Free Package
TA = 25°C -5.3 -3.9
TA = 85°C -3.8 -2.8
(Note: Microdot may be in either location)
Pulsed Drain Current IDM "20 A
PIN ASSIGNMENT
Continuous Source Current IS -5.3 -3.9 A
(Note 1)
Emitter 8 1 N/C
Collector
Maximum Power Dissipation PD W
(Note 1) Base 7 2 Collector
TA = 25°C 2.5 1.3
TA = 85°C 1.3 0.7
N/C 6 3 Source
Drain
Operating Junction and Storage TJ, Tstg -55 to +150 °C
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Anderen MOSET... NTZD3152P
, NTZD3154N
, NTZD3155C
, NTZD5110N
, NTZS3151P
, NUD4700
, NUS3116MT
, NUS5530MN
, IRLML6402
, NVD5803N
, NVD5862N
, NVD5863NL
, NVD5865NL
, NVD5867NL
, NVD5890N
, NVMFD5877NL
, NVMFS4841N
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