GWM100-01X1-SMD
MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt. Typenbezeichnung: GWM100-01X1-SMD
Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET
Kanaltyp: N
Gesamt-Verlustleistung (Pd):
Maximale Drain-Source-Spannung (Uds): 100V
Maximale Gate-Source-Spannung (Ugs):
Maximaler Drainstrom (Id): 90
Höchste Sperrschichttemperatur (Tj), °C:
Anstiegszeit (tr): 55ns
Drain-Kapazität (Cd), pF:
Ausgangswiderstand (Rds), Ohm: 0.0085
Transistorgehäuse: ISOPLUSDIL
Ersatz (vergleichstyp) für GWM100-01X1-SMD
Transistor GWM100-01X1-SMD
- PDF-Dokument zum Download bereitstellen...PDF nicht verfügbar! Anderen MOSET... GMM3x60-015X2-SMD
, GWM100-0085X1-SL
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