IXFR90N30
MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt. Typenbezeichnung: IXFR90N30
Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET
Kanaltyp: N
Gesamt-Verlustleistung (Pd): 417
Maximale Drain-Source-Spannung (Uds): 300V
Maximale Gate-Source-Spannung (Ugs):
Maximaler Drainstrom (Id): 75
Höchste Sperrschichttemperatur (Tj), °C:
Anstiegszeit (tr): 250ns
Drain-Kapazität (Cd), pF:
Ausgangswiderstand (Rds), Ohm: 0.033
Transistorgehäuse: ISOPLUS247
Ersatz (vergleichstyp) für IXFR90N30
Transistor IXFR90N30
- PDF-Dokument zum Download bereitstellen...PDF nicht verfügbar! Anderen MOSET... IXFR64N60P
, IXFR64N60Q3
, IXFR66N50Q2
, IXFR70N15
, IXFR80N15Q
, IXFR80N50P
, IXFR80N50Q3
, IXFR80N60P3
, IRF1404
, IXFT120N15P
, IXFT12N100F
, IXFT12N50F
, IXFT12N90Q
, IXFT13N100
, IXFT140N10P
, IXFT14N80P
, IXFT150N17T2
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