MKE11R600DCGFC
MOSFET. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt. Typenbezeichnung: MKE11R600DCGFC
Typ von Feldeffekttransistors: MOSFET
Kanaltyp: N
Gesamt-Verlustleistung (Pd):
Maximale Drain-Source-Spannung (Uds): 600V
Maximale Gate-Source-Spannung (Ugs):
Maximaler Drainstrom (Id): 15
Höchste Sperrschichttemperatur (Tj), °C:
Anstiegszeit (tr): 4ns
Drain-Kapazität (Cd), pF:
Ausgangswiderstand (Rds), Ohm: 0.165
Transistorgehäuse: ISOPLUS_i4PAC
Ersatz (vergleichstyp) für MKE11R600DCGFC
Transistor MKE11R600DCGFC
- PDF-Dokument zum Download bereitstellen...PDF nicht verfügbar! Anderen MOSET... IXTY64N055T
, IXTZ550N055T2
, IXUC160N075
, IXUV170N075
, IXUV170N075S
, LKK47-06C5
, MKE11R600DCGFC
, MKE11R600DCGFC
, IRFP9240
, MMIX1F520N075T2
, MMIX1T550N055T2
, MMIX1T600N04T2
, VBH40-05B
, VHM40-06P1
, VKM40-06P1
, VKM60-01P1
, VMK165-007T
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