BD733
. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt. Typenbezeichnung: BD733
Werkstoff: Si
Polarity: NPN
Gesamt-Verlustleistung (Pc): 30
Kollektor-Basis-Sperrspannung (Ucb): 22
Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Uce): 22
Emitter-Basis-Sperrspannung (Ueb): 5
Kollektorstrom (Ic): 4
Höchste Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150
Transitfrequenz (ft): 3
Kollektor-Kapazität (Cc), pF:
Kurzschluss-Stromverstärkung (hfe): 50
Transistorgehäuse: TO220
Ersatz (vergleichstyp) für BD733
BD733
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1.1. bd733.pdf  Size:255K _inchange_semiconductor  |
 | MIN MAX UNIT
V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 30mA; IB= 0 25 V
V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage IC= 0.1mA; IE= 0 25 V
V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 1mA; IC= 0 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 2A; IBB= 0.2A 0.6 V
VCE(sat)
Base-Emitter On Voltage IC= 2A; VCE= 1V 1.1 V
VBE(on)
ICES Collector Cutoff Current VCE= 25V; VBE= 0 0.2 mA
hFE-1 DC Current Gain IC= 20mA; VCE= 4V 40
hFE-2 DC Current Gain IC= 2A; VCE= 1V 50
isc Website:www |
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