BDV66B
. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt. Typenbezeichnung: BDV66B
Werkstoff: Si
Polarity: PNP
Gesamt-Verlustleistung (Pc): 200
Kollektor-Basis-Sperrspannung (Ucb): 120
Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Uce): 100
Emitter-Basis-Sperrspannung (Ueb): 5
Kollektorstrom (Ic): 16
Höchste Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150
Transitfrequenz (ft):
Kollektor-Kapazität (Cc), pF:
Kurzschluss-Stromverstärkung (hfe): 2000
Transistorgehäuse: TOP3
Ersatz (vergleichstyp) für BDV66B
BDV66B
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5.1. bdv66_bdv67.pdf  Size:102K _mospec 5.2. bdv66_a_b_c.pdf Size:158K _inchange_semiconductor  |
 | www.iscsemi.cn
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDV66/A/B/C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25? unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT
BDV66 -60
BDV66A -80
VCEO(SUS) Collector-Emitter IC= -100mA ;IB=0 V
Sustaining Voltage
BDV66B -100
BDV66C -120
Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -10A; IB= -40mA -2 V
VCE(sat)
Base-Emitter On Voltage IC= -10A ; VCE= -3V -2.5 V
VBE(on)
ICEO |
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