BDX84B
. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt. Typenbezeichnung: BDX84B
Werkstoff: Si
Polarity: PNP
Gesamt-Verlustleistung (Pc): 120
Kollektor-Basis-Sperrspannung (Ucb): 80
Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Uce): 80
Emitter-Basis-Sperrspannung (Ueb): 5
Kollektorstrom (Ic): 10
Höchste Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 200
Transitfrequenz (ft): 20
Kollektor-Kapazität (Cc), pF:
Kurzschluss-Stromverstärkung (hfe): 750
Transistorgehäuse: TO3
Ersatz (vergleichstyp) für BDX84B
BDX84B
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5.1. bdx84_a_b_c.pdf  Size:214K _inchange_semiconductor  |
 | e 1.4 ?/W
Rth j-c
isc Website:www.iscsemi.cn
www.iscsemi.cn
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDX84/A/B/C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25? unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT
BDX84 -45
BDX84A -60
VCEO(SUS) Collector-Emitter IC= -100mA; IB= 0 V
Sustaining Voltage
BDX84B -80
BDX84C -100
Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -5A; IBB= -10mA -2.0 V
VCE(sat)
Base-Emitter On Vo |
Anderen transistoren... BDX78
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, BDX83
, BDX83A
, BDX83B
, BDX83C
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, BDX84C
, BDX85
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