BFX30
. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt. Typenbezeichnung: BFX30
Werkstoff: Si
Polarity: PNP
Gesamt-Verlustleistung (Pc): 0.6
Kollektor-Basis-Sperrspannung (Ucb): 65
Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Uce): 65
Emitter-Basis-Sperrspannung (Ueb): 5
Kollektorstrom (Ic): 0.6
Höchste Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 200
Transitfrequenz (ft): 100
Kollektor-Kapazität (Cc), pF: 12
Kurzschluss-Stromverstärkung (hfe): 50
Transistorgehäuse: TO5
Ersatz (vergleichstyp) für BFX30
BFX30
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1.1. bfx30_cnv_2.pdf  Size:56K _philips  |
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toff turn-off time ICon = -150 mA; IBon = -15 mA; IBoff =10mA - - 300 ns
1997 Apr 16 2
Philips Semiconductors Product specification
PNP switching transistor BFX30
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT
VCBO collector-base voltage open emitter --65 V
VCEO collector-emitter voltage open base --65 V
VEBO emitter-base voltage open collector --5 V
IC collector current (DC) --600 mA
ICM peak collector cu |
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