2N319
. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt. Typenbezeichnung: 2N319
Werkstoff: Ge
Polarity: PNP
Gesamt-Verlustleistung (Pc): 0.225
Kollektor-Basis-Sperrspannung (Ucb): 25
Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Uce): 20
Emitter-Basis-Sperrspannung (Ueb): 3
Kollektorstrom (Ic): 0.2
Höchste Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 85
Transitfrequenz (ft): 1
Kollektor-Kapazität (Cc), pF: 50
Kurzschluss-Stromverstärkung (hfe): 35
Transistorgehäuse: TO5
Ersatz (vergleichstyp) für 2N319
2N319
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1.1. 2n319_2n320_2n321.pdf  Size:327K _general_electric 1.2. 2n3196.pdf Size:129K _inchange_semiconductor  |
 | ARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT
VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage IC=-0.2A ;IB=0 -60 V
Collector-emitter saturation voltage IC=-5A; IB=-1A -1.5 V
VCE(sat)
Base-emitter on voltage IC=-5A ; VCE=-4V -2.0 V
VBE(on)
ICEO Collector cut-off current VCE=Rated VCEO; IB=0 -5.0 mA
ICBO Collector cut-off current VCB=Rated VCBO; IE=0 -0.1 mA
IEBO Emitter cut-off current VEB=-5V; IC=0 -1.0 mA
hFE-1 DC current gain IC=-0.3A ; VCE=-4V 30
hFE-2 DC current gain IC=-3A ; VCE=-4V 15
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