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FC116
. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt. Typenbezeichnung: FC116
Werkstoff: Si
Polarity: NPN
Gesamt-Verlustleistung (Pc): 0.3
Kollektor-Basis-Sperrspannung (Ucb): 50
Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Uce): 50
Emitter-Basis-Sperrspannung (Ueb): 5
Kollektorstrom (Ic): 0.1
Höchste Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150
Transitfrequenz (ft):
Kollektor-Kapazität (Cc), pF:
Kurzschluss-Stromverstärkung (hfe): 50
Transistorgehäuse: SOT223
Ersatz (vergleichstyp) für FC116
FC116
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1.1. fc116.pdf  Size:49K _sanyo  |
 | –55 to+150 ?C
Electrical Characteristics at Ta = 25?C
Ratings
Parameter Symbol Conditions Unit
min typ max
Collector Cutoff Current ICBO VCB=40V, IE=0 0.1 µA
Collector Cutoff Current ICEO VCE=40V, IB=0 0.5 µA
Emitter Cutoff Current IEBO VEB=5V, IC=0 170 250 360 µA
DC Current Gain hFE VCE=5V, IC=10mA 50
Gain-Bandwidth Product fT VCE=10V, IC=5mA 250 MHz
Output Capacitance Cob VCB=10V, f=1MHz 3.3 pF
C-E Saturation Voltage VCE(sat) IC=10mA. IB=0.5mA 0.1 0.3 V
C-B Breakdown Voltage V(BR) |
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