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KSD526-R
. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt. Typenbezeichnung: KSD526-R
Werkstoff: Si
Polarity: NPN
Gesamt-Verlustleistung (Pc): 30
Kollektor-Basis-Sperrspannung (Ucb): 80
Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Uce): 80
Emitter-Basis-Sperrspannung (Ueb): 5
Kollektorstrom (Ic): 4
Höchste Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150
Transitfrequenz (ft): 3
Kollektor-Kapazität (Cc), pF: 90
Kurzschluss-Stromverstärkung (hfe): 40
Transistorgehäuse: TO220
Ersatz (vergleichstyp) für KSD526-R
KSD526-R
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4.1. ksd526.pdf  Size:177K _fairchild_semi  |
 | 0.5A 40 240
VCE = 5V, IC = 3A 15 50
VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC = 3A, IB = 0.3A 0.45 1.5 V
VBE(on) Base-Emitter On Voltage VCE = 5V, IC = 3A 1 1.5 V
fT Current Gain - Bandwidth Product VCE = 5V, IC = 0.5A 3 8 MHz
Ccb Collector Output Capacitance VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz 90 pF
hFE Classification
Classification R O Y
hFE 40?80 70?140 120?240
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation 1 www.fairchildsemi.com
KSD526 Rev. A1
KSD526 NPN Epitaxial Silicon Transistor
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