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KSE200
. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt. Typenbezeichnung: KSE200
Werkstoff: Si
Polarity: NPN
Gesamt-Verlustleistung (Pc): 15
Kollektor-Basis-Sperrspannung (Ucb): 40
Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Uce): 25
Emitter-Basis-Sperrspannung (Ueb): 8
Kollektorstrom (Ic): 5
Höchste Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150
Transitfrequenz (ft): 65
Kollektor-Kapazität (Cc), pF: 80
Kurzschluss-Stromverstärkung (hfe): 45
Transistorgehäuse: TO126
Ersatz (vergleichstyp) für KSE200
KSE200
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1.1. kse200.pdf  Size:42K _fairchild_semi  |
 | IC=500mA, IB=50mA 0.3 V
IC=2A, IC=200mA 0.75 V
IC=5A, IB=1A 1.8 V
VBE(sat) Base- Emitter Saturation Voltage IC=5A, IB=1A 2.5 V
VBE(on) Base-Emitter On Voltage VCE=1V, IC=2A 1.6 V
fT Current Gain Bandwidth Product VCE=10V, IC=100mA 65 MHz
Cob Output Capacitance VCB=10V, IE=0, f=0.1MHz 80 pF
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation Rev. A1, January 2001
KSE200
Typical Characteristics
10
1000
IC = 10 IB
VCE = 2V
VBE(sat)
1
100
VCE=1V
VCE(sat)
0.1
10
0.01
1
0.01 0.1 1 |
1.2. kse200.pdf Size:88K _samsung Anderen transistoren... KSE13009
, KSE13009F
, KSE170
, KSE171
, KSE172
, KSE180
, KSE181
, KSE182
, BC547
, KSE210
, KSE2955T
, KSE3055T
, KSE340
, KSE350
, KSE44H-1
, KSE44H-10
, KSE44H-11
.
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