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KST05
. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt. Typenbezeichnung: KST05
Werkstoff: Si
Polarity: NPN
Gesamt-Verlustleistung (Pc): 0.35
Kollektor-Basis-Sperrspannung (Ucb): 60
Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Uce): 60
Emitter-Basis-Sperrspannung (Ueb): 4
Kollektorstrom (Ic): 0.5
Höchste Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 150
Transitfrequenz (ft): 100
Kollektor-Kapazität (Cc), pF:
Kurzschluss-Stromverstärkung (hfe): 50
Transistorgehäuse: SOT23
Ersatz (vergleichstyp) für KST05
KST05
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1.1. kst05_kst06.pdf  Size:44K _fairchild_semi  |
 | ector Cut-off Current VCE=60V, IB=0 0.1 µA
hFE DC Current Gain VCE=1V, IC=10mA 50
VCE=1V, IC=100mA 50
VCE (sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC=100mA, IB=10mA 0.25 V
VBE (on) Base-Emitter On Voltage VCE=1V, IC=100mA 1.2 V
fT Current Gain Bandwidth Product VCE=2V, IC=100mA, f=100MHz 100 MHz
* Pulse Test: PW?300µs, Duty Cycle?2%
Marking
Marking Code
Type KST05 KST06
Mark 1H 1G 1H
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation Rev. A2, November 2002
KST05/06
Package Dimensions
SOT |
1.2. kst05.pdf Size:21K _samsung  |
 | on Voltage VCE (sat)
V
VCE=1V, IC=100mA 1.2
Base-Emitter On Voltage VBE (on)
MHz
VCE=2V, IC=100mA
Crrent Gain Bandwidth Product fT 100
f=100MHz
Pulse Test: PW 300 , Duty Cycle 2%
MARKING CODE
TYPE KST05 KST06
MARK 1H 1G
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, KSR2112
, KSR2113
, KSR2114
, AC127
, KST06
, KST10
, KST1009F1
, KST1009F2
, KST1009F3
, KST1009F4
, KST1009F5
, KST13
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