TIP562
. Höchstzulässige Werte. Charakteristische Werte. Datenblatt. Typenbezeichnung: TIP562
Werkstoff: Si
Polarity: NPN
Gesamt-Verlustleistung (Pc): 100
Kollektor-Basis-Sperrspannung (Ucb): 0
Kollektor-Emitter-Sperrspannung (Uce): 300
Emitter-Basis-Sperrspannung (Ueb): 5
Kollektorstrom (Ic): 10
Höchste Sperrschichttemperatur (Tj), °C: 200
Transitfrequenz (ft):
Kollektor-Kapazität (Cc), pF:
Kurzschluss-Stromverstärkung (hfe): 8
Transistorgehäuse: TO3
Ersatz (vergleichstyp) für TIP562
TIP562
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1.1. tip562_563.pdf  Size:79K _inchange_semiconductor  |
 | ation
isc Silicon NPN Power Transistors TIP562/563
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25? unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT
TIP562 300
VCEO(SUS) Collector-Emitter IC=100mA ; IB=0 V
Sustaining Voltage
TIP563 400
Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 10A; IB= 1.66A 1.2 V
VCE(sat)-1
Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 15A; IB= 5A 2.0 V
VCE(sat)-2
Base-Emitter Saturation Voltage IC= 10A; IB= 1.66A 1.4 V
VBE(sat)
TIP562 VCE= 270V;IB= 0 1. |
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